陕西省工【图文导读】图1：用金属纳米颗粒向半导体纳米晶固体掺杂的示意图。

同时，业和业互Cu表面的平整度对石墨烯成核也有巨大影响，业和业互由于金属衬底表面的晶界、微颗粒等表面缺陷的存在，这些缺陷具有较高的表面能，相比于平整的区域更容易吸附催化分解的活性碳物种，局部活性碳物种浓度较高，容易达到石墨烯成核的临界浓度，表面缺陷区域的成核几率就会增加。一直从事纳米材料化学与纳米器件研究，信息当前研究兴趣包括石墨烯、信息拓扑绝缘体、二维硫族半导体等高迁移率二维材料的制备方法、化学调制与光电器件应用基础研究。

将覆盖有转移介质和石墨烯的金属基底放置于金属刻蚀剂中，化厅待金属被完全刻蚀后，转移介质和石墨烯复合结构漂浮在刻蚀液的表面上。气体输入系统一般由气体流量计控制，关于工作反应腔是碳源前驱体发生化学反应并在反应基底沉积得到石墨烯的区域，排气系统用于将反应后的气体排出。开展图10.多晶石墨烯的基本性质：a-b.多晶石墨烯AFM纳米压痕失效强度测试。

CVD反应过程主要由升温、年工基底热处理、石墨烯生长和冷却四部分构成。吉林大学学士(1996-2000年)，联网北京大学博士(2000-2005年)，美国斯坦福大学博士后(2005-2009年)。

安全4.2大单晶石墨烯的制备石墨烯中的晶畴与晶界分布是影响其性质的关键因素之一。

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